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SI7489DP-T1-E3中文资料

SI7489DP-T1-E3图片

SI7489DP-T1-E3外观图

  • 大小：102.3KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET, P, PPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-28A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:83W; Rise Time:20ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
  • 数据列表：SI7489DP
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：28A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：41 毫欧 @ 7.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4600pF @ 50V
  • 功率 - 最大：83W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7489DP-T1-E3TR

SI7489DP-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-01 01:01:08
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • 深圳市高胜电子有限公司

  • SI7489DP-T1-E3

    SI7489DP-T1-E3
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号：

    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 1467

  • VISHAY

  • QFN8/19+

  • 进口原装现货

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S1ZB20SK34ASN74CB3Q3257DBQRSN74AHC573DWRSN65LVDS2DBVRSN74LVTH245APWRSC1202CSTTRTSC1592ISTRTSSF3117SI8902EDB-T2-E1

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